Cambridge GaN Devices ha presentato la seconda serie della sua famiglia di HEMT in nitruro di gallio ICeGaN da 650 V, che offre robustezza, facilità d'uso ed efficienza massimizzate. Gli HEMT ICeGaN della serie H2 utilizzano l'interfaccia smart gate di CGD che elimina virtualmente le debolezze tipiche del GaN in modalità e, offrendo una robustezza significativamente migliorata alle sovratensioni, una soglia più elevata immune al rumore, la soppressione del dV/dt e la protezione ESD.
Come i dispositivi della generazione precedente, i nuovi transistor H2 ICeGaN da 650 V sono pilotati in modo simile ai MOSFET a Si, eliminando la necessità di circuiti complessi e inefficienti e utilizzando invece i gate driver disponibili in commercio. Infine, gli HEMT H2 ICeGaN presentano un QG 10 volte inferiore a quello dei componenti in silicio e un QOSS 5 volte inferiore, il che consente agli HEMT H2 ICeGaN di ridurre notevolmente le perdite di commutazione alle alte frequenze di commutazione, riducendo dimensioni e peso. Ciò si traduce in prestazioni di efficienza ai vertici della categoria.
"Una ricerca indipendente condotta dal Virginia Tech ha dimostrato che gli ICeGaN sono i dispositivi GaN più robusti del settore e, in termini di facilità d'uso, possono essere pilotati come un normale MOSFET al silicio, eliminando così la curva di apprendimento che può rallentare l'accettazione del mercato. L'efficienza del GaN è ben nota e l'ICeGaN è impressionante in tutta la gamma di carichi", commenta Giorgia Longobardi, Ceo & Co-Ffunder, CGD.
La serie H2 di ICeGaN è dotata di un innovativo circuito NL3 (No Load and Light Load), integrato nel chip insieme allo switch GaN, che riduce a livelli da record le perdite di potenza. Un'avanzata struttura di clamping con Miller Clamp integrato - anch'esso on-chip - elimina la necessità di tensioni di gate negative, ottenendo un vero turn-off a zero volt e migliorando le prestazioni dinamiche RDS(ON). Questi HEMT GaN a chip singolo in modalità e-mode (normalmente spenti) includono un'interfaccia e un circuito di protezione integrati monoliticamente per un'affidabilità del gate e una semplicità di progettazione senza pari. affidabilità del gate e semplicità di progettazione. Infine, la funzione Current Sense riduce la dissipazione di potenza e consente il collegamento diretto a terra per ottimizzare il raffreddamento e le EMI.
"CGD ha risolto tutte le sfide che normalmente rallentano l'adozione di una nuova tecnologia. Inoltre, siamo ora pronti a soddisfare il mercato di massa con i nostri transistor ICeGaN della serie H2, disponibili attraverso una catena di fornitura consolidata", conclude Longobardi.
