Toshiba ha lanciato un nuovo Mosfet a canale N a drain comune da 12V con una potenza nominale di 20A, da utilizzare nei circuiti di protezione della batteria dei pacchi batterie agli ioni di litio (Li-ion), come quelli comunemente utilizzati per smartphone, tablet, power bank, fotocamere digitali compatte, fotocamere reflex digitali e altre applicazioni simili.
La sicurezza della batteria agli ioni di litio risulta migliorata grazie alla presenza di circuiti di protezione altamente robusti che riducono la produzione di calore durante la carica e la scarica. Per soddisfare le prestazioni di ricarica richieste, questi circuiti devono avere un basso consumo energetico. Data la natura compatta di queste soluzioni, i Mosfet idonei devono presentare dimensioni contenute e profili ridotti, pur offrendo bassi livelli di resistenza.
Il nuovo Mosfet SSM14N956L da 20A è caratterizzato da una tensione source-source (VSSS) di 12V e utilizza il micro-processo di Toshiba, in comune con il Mosfet SSM10N954L da 13,5A, già introdotto. Ciò garantisce caratteristiche eccellenti di resistenza di on (RSS(ON)), pari ad appena 1mΩ, con una conseguente riduzione delle perdite di conduzione. Inoltre, il processo offre una bassa corrente di dispersione al gate-source (IGSS) di ±1μA (max.), che consente di ottenere un consumo energetico contenuto in standby. Insieme, questi attributi assicurano un funzionamento prolungato della batteria tra le cariche.
Per potersi adattare agli spazi ristretti che caratterizzano queste applicazioni, il nuovo SSM14N956L è alloggiato in un package chip-scale, noto come TCSPED-302701. Le dimensioni sono di soli 2,74mm x 3,0mm con un'altezza tipica di appena 0,085mm.
