Texas Instruments ha annunciato l'espansione della sua gamma al nitruro di gallio (GaN) a bassa potenza, progettata per aiutare a migliorare la densità di potenza, massimizzare l'efficienza del sistema e ridurre le dimensioni dell'elettronica di consumo CA/CC e dei sistemi industriali. L'intera gamma di TI di transistor a effetto di campo (FET) al GaN con gate driver integrati affronta le più comuni sfide nella progettazione termica per ridurre la temperatura degli alimentatori pur condensando maggiore potenza in ingombri più ridotti.
«I consumatori di oggi cercano alimentatori più piccoli, più leggeri e più comodi da portare con sé, che offrano inoltre una ricarica rapida ed efficiente dal punto di vista energetico», ha detto Kannan Soundarapandian, Direttore Generale del settore High Voltage Power di TI. «Con l'espansione della nostra gamma, i progettisti possono portare i vantaggi della densità di potenza della tecnologia GaN a bassa potenza in più applicazioni utilizzate dai consumatori ogni giorno, come i telefoni cellulari e i computer portatili, gli alimentatori delle TV e le prese a muro USB. Inoltre, la gamma di TI risponde alla crescente domanda di progetti compatti e ad alta efficienza nei sistemi industriali, come gli utensili elettrici e gli alimentatori ausiliari per server».
La nuova gamma di FET GaN con gate driver integrati, tra cui i dispositivi LMG3622, LMG3624 ed LMG3626, offre il rilevamento integrato della corrente più accurato nel settore. Questa funzionalità aiuta i progettisti a ottenere la massima efficienza eliminando la necessità di una resistenza shunt esterna e riducendo le perdite di potenza correlate fino al 94% rispetto ai tradizionali circuiti di rilevamento della corrente utilizzati con FET in silicio e GaN di tipo discreto.
Massimizzare l'efficienza energetica e semplificare la progettazione termica
I FET GaN di TI con gate driver integrati permettono di raggiungere velocità di commutazione più elevate, contribuendo quindi a proteggere gli alimentatori dal surriscaldamento. I progettisti possono quindi raggiungere un'efficienza del sistema anche del 94% per applicazioni in CA/CC <75 W oppure superiore al 95% per applicazioni in CA/CC >75 W. Grazie ai nuovi dispositivi i progettisti possono ridurre le dimensioni della soluzione per un tipico alimentatore da 67 W anche del 50% rispetto alle soluzioni basate su silicio.
Inoltre la gamma è ottimizzata per le tipologie più diffuse nella conversione di potenza in CA/CC, come convertitore flyback quasi risonante, a mezzo ponte simmetrico, convertitore induttore-induttore, correzione del fattore di potenza totem-pole e flyback a clamp attivo.
Ulteriori informazioni sui vantaggi del GaN di TI per le tipologie in CA/CC più comuni sono disponibili nell'articolo «I vantaggi del GaN a bassa potenza in topologie di potenza comuni in CA/CC».
Un investimento a lungo termine nella produzione in GaN
TI vanta una lunga storia di attività produttive interne in varie aree del mondo, tra cui fabbriche di wafer, stabilimenti di assemblaggio e test, nonché strutture bump and probe in 15 sedi in tutto il mondo. TI investe nella produzione con tecnologia GaN da oltre 10 anni.
Avendo pianificato di produrre più del 90% dei suoi prodotti internamente entro il 2030, TI è in grado di fornire ai suoi clienti il necessario per i decenni a venire.
