ON Semiconductor ha introdotto nuovi MOSFET a supergiunzione (SJ) e nuovi diodi SiC, come parte delle proprie iniziative nel corso del PCIM Europe Digital Event di quest'anno (dal 3 al 7 Maggio 2021).
I MOSFET SUPERFET III FAST SJ da 650 V offrono prestazioni di commutazione migliori, con una migliore efficienza e una maggiore affidabilità a livello di sistema. Queste caratteristiche sono molto richieste in diversi settori applicativi in rapida crescita, che includono il 5G, le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici (EV), le telecomunicazioni e i server.
ON Semiconductor ha introdotto inoltre i diodi SiC da 1200 V di ultima generazione qualificati AECQ101per automotive e conformi agli standard industriali, ideali per le applicazioni ad alta potenza come le stazioni di ricarica per i veicoli elettrici e gli inverter solari, i gruppi di continuità, i caricabatterie a bordo dei veicoli elettrici (OBC) e i convertitori DC-DC per veicoli elettrici. I diodi SiC offrono vantaggi significativi, che includono affidabilità, riduzione delle EMI e semplificazione dei requisiti di raffreddamento. Il nuovo formato introduce miglioramenti rispetto alla prima generazione di diodi SiC, grazie alle dimensioni inferiori del die e a una capacità più ridotta. I diodi NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C e NDSH50120C assicurano una caduta di tensione diretta inferiore e una corrente nominale 4 volte superiore, con una maggiore escursione del segnale (di/dt) pari a 3500 A/μs. Le dimensioni inferiori del die restituiscono inoltre una resistenza termica inferiore del 20% in un package F2.
