Toshiba Electronics Europe ha ampliato il proprio portafoglio completo di MOSFET a canale N a basso consumo con l'introduzione dei dispositivi SSM6N951L. Sfruttando l'esperienza avanzata dell'azienda nei processi dei semiconduttori di potenza e la proprietà intellettuale, questo dispositivo a drain comune da 12 V presenta numerosi parametri di prestazioni operative ai vertici nel settore.
L'SSM6N951L è destinato nello specifico ad essere incluso nel circuito di protezione delle batterie incorporato nei pacchi batterie agli ioni di litio. La sua bassissima resistenza di ON (4,6 mΩ massimi con una V GS di 3,8 V) e i valori estremamente ridotti di corrente di dispersione al gate-source (1μA massimi con una V GS di 8 V ) consentono a questo dispositivo discreto di potenza di offrire caratteristiche di resistenza termica inferiori rispetto alla media. Ciò è particolarmente importante durante i cicli di carica/scarica dei pacchi batterie, poiché consente di sviluppare soluzioni a densità superiore che supportano velocità di ricarica maggiori, oltre ad assicurare un'affidabilità più elevata e una durata operativa più lunga.
Questi nuovi MOSFET sono spediti in package con formato TCSP6A-172101 a basso profilo (con dimensioni di 2,14 mm x 1,67 mm x 0,11 mm). Di conseguenza, essi sono ottimizzati per l'applicazione nelle moderne apparecchiature alimentate a batterie soggette a vincoli di spazio.
