Farnell avvia la distribuzione del nuovo IGBT7 TRENCHSTOP da 1200 V e il diodo EC7 controllato da emettitore di Infineon. Inserito nel noto alloggiamento Easy, IGBT7 EasyPIMTM offre una densità di potenza più elevata, costi di sistema più bassi e dimensioni di sistema contenute. La tecnologia di IGBT7 TRENCHSTOP da 1200 V e del diodo EC7 si basa sulla più avanzata tecnologia trench a micro-pattern ed è ottimizzata per le applicazioni di azionamento industriale. Questo significa perdite statiche sostanzialmente ridotte nel raggiungere i requisiti di efficienza energetica, soft switching e maggiore controllabilità. Inoltre, innalzando la temperatura massima consentita per le giunzioni fino a 175 °C nel modulo di alimentazione, è possibile ottenere un notevole aumento della densità di potenza.
IGBT7 TRENCHSTOP da 1200 V è disponibile in vari moduli; EasyPIM 1B 1200 V, rettificatore di ingresso trifase PIM (moduli di potenza integrati) nelle versioni da 10 A e 25 A, EasyPACK, il modulo IGBT sixpack 2B 1200 V e il modulo IGBT sixpack 100 A. I nuovi moduli sono progettati con lo stesso pin out dei moduli IGBT4 TRENCHSTOP, ciò facilita il lavoro di progettazione per gli ingegneri. I nuovi moduli consentono anche di avere una corrente di uscita più elevata nello stesso pacchetto, o una corrente di uscita simile in un pacchetto più piccolo, per la progettazione di invertitori più compatti. Tutti i moduli sono dotati dell’affidabile tecnologia di montaggio PressFit di Infineon per una ridotta resistenza ohmica e minori tempi di processo.
