Farnell ha annunciato la disponibilità della terza generazione di MOSFET in carburo di silicio da 650V e 1200V (SiC) di Toshiba. Con questi prodotti, i progettisti possono ottenere un'efficienza maggiore, ridurre le dimensioni per le applicazioni industriali e ottenere un miglioramento fino all'80% delle perdite statiche e dinamiche. Questi dispositivi altamente versatili sono adatti a un'ampia gamma di applicazioni complesse, tra cui gli alimentatori a commutazione (SMPS) e i gruppi di continuità (UPS) per server, data center e apparecchiature di comunicazione. Altri utilizzi includono le energie rinnovabili, come gli inverter fotovoltaici e i convertitori DC-DC bidirezionali utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici (EV).
I nuovi MOSFET SiC TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C da 650V presentano i seguenti vantaggi:
- Le strutture delle celle si basano su quelle utilizzate nei dispositivi Toshiba di seconda generazione, ottimizzando il processo avanzato SiC di terza generazione.
- La riduzione significativa della perdita di potenza consente di sviluppare soluzioni con densità di potenza più elevate e costi di esercizio inferiori. La figura di merito (FoM) chiave, calcolata come prodotto della resistenza di drain-source on (RDS(on)) e della carica gate-drain (Qg) per rappresentare le perdite statiche e dinamiche, è migliorata di circa l'80%.
- I nuovi dispositivi contengono l'innovativo diodo a barriera Schottky (SBD) incorporato, già collaudato nella generazione precedente, che migliora l'affidabilità dei MOSFET SiC superando gli effetti parassiti interni per mantenere stabile la RDS(on) del dispositivo.
I nuovi MOSFET SiC di terza generazione da 1200V, che comprendono i TW015N120C, TW030N120C, TW045N120C, TW060N120C e TW140N120C, sono alloggiati in un contenitore TO-247 standard del settore e sono caratterizzati da:
- La capacità di gestire correnti (ID) fino a 100A e valori di RDS(on) fino a 15 mΩ.
- Un ampio range di tensioni massime di gate-source, da -10V a 25V, che aumenta la flessibilità di funzionamento in vari progetti di circuiti e condizioni applicative.
- La tensione di soglia del gate (VGS(th)) varia da 3,0V a 5,0V, garantisce prestazioni di commutazione prevedibili con una deriva minima e permette di progettare un gate-driver semplice.
- I dispositivi hanno valori di RDS(on) da 15 mΩ a 140 mΩ (tipici, a VGS = 18V) e correnti di drenaggio da 20A a 100A (DC a TC=25°C).
"Siamo impegnati a fornire ai nostri clienti i più recenti prodotti a semiconduttore e questi MOSFET SiC di terza generazione, ora disponibili a magazzino, rappresentano un significativo salto di qualità nella tecnologia di uno dei leader mondiali e dei maggiori investitori nella tecnologia di potenza discreta", ha sottolineato Adrian Cotterill, Product Segment Leader, Transistors & WBG, di Farnell.
