Innoscience ha lanciato una gamma completa di dispositivi HEMT al GaN da 650 V funzionanti in modalità di arricchimento (“E-mode”). Nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ in package DFN 8x8 e 5x6 standard nel settore si uniscono ai componenti già annunciati con RDS(on) di 140 mΩ, 240 mΩ o 500 mΩ, offrendo una notevole scelta.
È importante osservare che i dispositivi HEMT da 650 V di Innoscience (InnoGaN) sono tutti qualificati in conformità alle norme JEDEC per quanto riguarda il chip e il package. Non solo: hanno anche superato la prova di affidabilità DHTOL (Dynamic High Temperature Operating Life) in conformità alle linee guida JEP180 recentemente rilasciate da JEDEC in relazione alla tecnologia GaN. Inoltre, sono stati sottoposti a prove di durata accelerate oltre 1000 V, che hanno permesso di calcolare una durata di 36 anni all’80% della tensione nominale (520 V; 150 °C; tasso di guasto dello 0,01%).
I nuovi dispositivi presentano inoltre valori eccellenti della tensione transitoria drain-source (VDS, transitoria), 800 V, per eventi non ripetitivi con lunga durata dell’impulso – fino a 200 µs – e della tensione pulsata (VDS, pulsata), 750 V, per impulsi ripetitivi – di durata fino 100 ns, per i componenti con RDS(on) di 190 mΩ. Oltre a ciò, analogamente ai dispositivi da 650 V, i nuovi dispositivi con RDS(on) di 190 mΩ, 350 mΩ o 600 mΩ sono tutti dotati di un affidabile circuito di protezione contro la scarica elettrostatica integrato nel chip per facilitare l’assemblaggio in grandi volumi di questi dispositivi nel package e la loro movimentazione.
Le possibili applicazioni degli InnoGaN sono molteplici – convertitori con correzione del fattore di potenza (CFP), convertitori CC-CC, driver LED, caricabatteria veloci, adattatori per notebook e multifunzione, alimentatori per PC desktop, televisori, utensili automatici e altre ancora.
“Questi nuovi modelli completano il nostro portafoglio di dispositivi da 100-600 mΩ a 650 V", commenta Yi Sun, Vicepresidente senior sviluppo prodotti presso Innoscience. "Sono particolarmente soddisfatto di avere aggiunto il modello da 650 V e 190 mΩ, perché sta diventando uno standard nel settore GaN che offre maggiore flessibilità ai clienti dopo che hanno scelto i fornitori per i loro prodotti”.
Poiché i dispositivi al GaN non hanno un diodo intrinseco, le perdite da ripristino della polarizzazione inversa sono molto più basse rispetto ai MOSFET al silicio e la figura di merito (FOM) è di gran lunga superiore, per cui i dispositivi HEMT al GaN, come i nuovi componenti da 650 V di Innoscience, sono utilizzabili in semplici configurazioni totem pole per applicazioni CFP e si avvantaggiano del ridotto numero di componenti senza incorrere nelle elevate perdite che si presenterebbero con convenzionali dispositivi al silicio. Questo vantaggio, in combinazione con le funzionalità ad alta frequenza degli InnoGaN, contribuisce a ridurre le dimensioni dei componenti passivi e ne conseguono sistemi più compatti.
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