Micron ha avviato la produzione in serie della prima NAND a 232 layer al mondo. La tecnologia fornisce una capacità di archiviazione ad alte prestazioni necessaria per supportare le soluzioni avanzate e i servizi in tempo reale richiesti nei data center e nelle applicazioni automobilistiche, nonché esperienze reattive e coinvolgenti sui dispositivi mobili, l’elettronica di consumo e i pc.
Questo nodo tecnologico consente l’introduzione della più elevata velocità di NAND I/O del settore - 2,4 gigabyte al secondo (GB/s) -, per soddisfare le esigenze di bassa latenza e l’alto rendimento dei carichi di lavoro incentrati sui dati, tra cui l’intelligenza artificiale e l’apprendimento automatico, i database non strutturati, l’analisi in tempo reale e il cloud computing.
La NAND a 232 layer di Micron offre inoltre una larghezza di banda in scrittura superiore del 100% e una larghezza di banda in lettura superiore di oltre il 75% per matrice rispetto alla generazione precedente. Questi vantaggi per ogni singola matrice si traducono in un aumento delle prestazioni e dell’efficienza energetica nelle unità SSD e nelle soluzioni NAND integrate.
Inoltre, la NAND a 232 layer introduce la prima NAND TLC in serie a sei piani al mondo.
La NAND a 232 layer di Micron è la prima in produzione ad abilitare NV-LPDDR4, un’interfaccia a bassa tensione in grado di offrire un risparmio di trasferimento per bit di oltre il 30% rispetto alle interfacce I/O precedenti.
Il fattore di forma compatto della NAND a 232 layer offre ai clienti flessibilità nei loro design, consentendo al contempo la più alta densità TLC per millimetro quadrato mai prodotta (con 14,6 Gb/mm2).
Spedito in un nuovo package di 11,5 mm x 13,5 mm, la NAND a 232 layer presenta una dimensione del package del 28% inferiore rispetto alle precedenti generazioni di Micron. Una maggiore densità in un ingombro ridotto riduce al minimo lo spazio sulla scheda per una vasta serie di implementazioni.
