Mouser ha inserito a stock il MOSFET a semiponte e driver FET GaN LMG1210 da 200 V di Texas Instruments (TI). Parte delle soluzioni di potenza al nitruro di gallio (GaN) di TI, LMG1210 consente una maggiore efficienza, una maggiore densità di potenza e una dimensione complessiva del sistema inferiore rispetto alle alternative tradizionali a base di silicio ed è ottimizzato specificamente per le applicazioni di conversione di potenza critiche per la velocità.
TI LMG1210, disponibile da Mouser Electronics, è un driver a mezzo ponte a 50 MHz progettato per funzionare con FET GaN in modalità di potenziamento fino a 200 V. Progettato per le massime prestazioni e un funzionamento altamente efficiente, LMG1210 presenta un ritardo di propagazione ultrarapido di 10 ns, che è più veloce dei tradizionali driver a mezzo ponte in silicone. Il dispositivo offre inoltre una bassa capacità di commutazione del nodo di 1 pF con controllo dei tempi morti regolabile dall'utente che aiuta a migliorare l'efficienza consentendo ai progettisti di ottimizzare i tempi morti all'interno del loro sistema.
LMG1210 offre una corrispondenza del ritardo da high-side a low-side da 3,4 ns, una larghezza minima dell'impulso di 4 ns e un LDO interno che garantisce una tensione di gate-drive di 5 V indipendentemente dalla tensione di alimentazione. Il driver include anche un'immunità ai transitori in modalità comune (CMTI) di oltre 300 V/n - una delle più elevate del settore - che consente un'elevata immunità al rumore di sistema.
Il driver LMG1210 di TI è ideale per una vasta gamma di applicazioni, tra cui convertitori DC/DC ad alta velocità, controllo motore, amplificatori audio di classe D, ricarica wireless di classe E, tracciamento dell'inviluppo RF e altre applicazioni di conversione di potenza.
