Mouser offrirà ai clienti la gamma di IC di potenza GaNFast e GaNSense di Navitas, oltre alla gamma GeneSiC di MOSFET di potenza e i diodi al SiC. Questi semiconduttori ad alta efficienza offrono prestazioni ad alta frequenza per veicoli elettrici, dispositivi a ricarica rapida, elettronica di consumo, energie alternative e soluzioni industriali.
I circuiti integrati di potenza GaNFast supportano frequenze di commutazione sei volte superiori rispetto alle soluzioni GaN discrete, e permettono di aumentare il risparmio energetico del sistema, riducendone al contempo le dimensioni e il peso. I circuiti integrati di potenza GaNFast sono facili da usare e compatibili con una vasta gamma di topologie e controllori conosciuti. Essi integrano monoliticamente l’alimentazione, l’azionamento e il controllo GaN per creare un blocco “digital-in, power-out” facile da usare, ad alta velocità e ad alte prestazioni. I prodotti GaNFast consentono una ricarica fino a tre volte più veloce con dimensioni e peso dimezzati rispetto alle precedenti soluzioni elettroniche di potenza basate sul silicio, ovvero vantano tre volte più potenza senza un aumento di dimensioni o peso.
I circuiti integrati di potenza GaNFast con tecnologia GaNSense integrano circuiti di rilevamento e protezione critici, autonomi e in tempo reale, che migliorano ulteriormente l’affidabilità e la robustezza all'avanguardia del settore di Navitas. Queste soluzioni su singolo package riducono il numero di componenti e l’ingombro rispetto ai dispositivi esistenti a discreti, con una conseguente riduzione dei costi, delle dimensioni, del peso e della complessità del sistema. Con un intervallo di tensioni di alimentazione che va da 5,5 V a 24 V, i circuiti integrati di potenza GaNFast sono ideali per una varietà di applicazioni consumer ed enterprise.
La famiglia di CI di potenza GaNFast offre molteplici vantaggi in termini di efficienza e affidabilità in pacchetti PQFN standard di facile utilizzo, a basso profilo e bassa induttanza. Questi dispositivi consentono un rapido tempo di prototipazione e di generazione dei ricavi e sono progettati per garantire la prossima generazione di topologie soft-switching, massimizzando al contempo la capacità di commutazione rapida ad alta velocità al di sopra del MHz del GaN. Questi dispositivi ad alta efficienza sono adatti per le applicazioni mobili e per i centri dati, nonché per gli azionamenti dei motori industriali.
