Quasi a voler confermare il proprio ruolo di importante produttore di dispositivi di memoria (nel campo delle memorie Dram, con una quota del 34,3%, ne è addirittura il principale produttore mondiale), Samsung ha recentemente iniziato la fabbricazione di memorie “advanced fusion”, denominate Flex-OneNand, realizzate con strutture di 40 nanometri e aventi una capacità di 8 Gbit. Rispetto ai primi componenti di questa famiglia di integrati, che erano realizzati in una tecnologia da 60 nm con una capacità di 4 Gbit, i chip attuali consentono un aumento di produttività del 180%; ciò si fa avvertire sia tramite un costo per unità di capacità sensibilmente ridotto sia attraverso la superficie d’appoggio del chip sul circuito stampato, che risulta sensibilmente diminuita, sia anche attraverso una riduzione del rumore di trasmissione. Questi integrati consentono ai progettisti di utilizzare, per la prima volta al mondo, contemporaneamente e in un unico chip entrambi i tipi di memoria Nand flash, Slc e Mlc, combinandoli a piacere (vedi box). La ripartizione può avvenire in una fase qualunque del progetto, anche alla fine; ciò che aumenta sensibilmente la flessibilità con cui il designer può ottimizzare il suo progetto. Tutto questo risulta particolarmente vantaggioso quando si tratta di realizzare prodotti consumer, per i quali il progettista può implementare le funzioni che richiedono un’alta velocità di accesso ai dati con gli elementi Slc e le altre, come quelle che implicano l’elaborazione di ingenti volumi di dati da memorizzare, con gli elementi Mlc che sono più economici. L’azienda aveva presentato il primo componente di questa famiglia nel 2007. Essa consente di effettuare senza difficoltà la ripartizione tra i settori Slc e Mlc per mezzo del software appositamente previsto per questo scopo.
Moduli di memoria Ddr3 da 16 GByte
Nella scorsa primavera Samsung ha iniziato le consegne di 18 nuovi moduli di memoria ad alta densità e aventi dimensioni minime, concepiti per server, e costituiti da elementi di memoria Ddr3 da 2 Gigabit ciascuno, che sono realizzati in una tecnologia con strutture di 50 nm. Fanno parte di questa serie un modulo Rimm (Registered Inline Memory Module) da 16 GByte e un modulo Rdimm (Registered Dual Inline Memory Module) da 8 GByte. Il primo lavora a 1.066 Megabit per secondo, il che consente di realizzare un sistema server con 192 GByte di memoria. Samsung è la prima a offrire elementi Rdimm da 16 GByte operanti a 1,35 V: con essi è possibile realizzare, rispetto a una soluzione utilizzante componenti Ddr3 a 1,5 V, un risparmio energetico del 20%. A parità di capacità di memoria, un progetto utilizzante un elemento Ddr3 da 2 Gbit consuma il 40% di energia in meno di uno basato su elementi da 1 Gbit. Questo è particolarmente vantaggioso quando si tratta di implementare sistemi server completi o una nuova generazione di notebook. IDC stima che nel 2009 il fatturato mondiale raggiunto dalle Ddr3 raggiungerà il 29% dell’intero mercato delle Dram e prevede, per il 2010, che la sua quota di mercato passi dal 29% al 75%. L’azienda stima inoltre che le vendite di dispositivi Ddr3 da 2 Gbit quest’anno equivarranno al 3% dell’intero mercato delle Ddr3, mentre nel 2010 dovrebbero raggiungere il 33%.
Memory card da 32 GByte
Il gigante coreano ha anche iniziato a fornire le sue schede di memoria embedded da 32 GByte, denominate moviNand e realizzate con un processo da 30 nm. L’utilizzo di memorie embedded ad alta densità migliora la performance di cellulari ad alte prestazioni nonché di altri apparecchi consumer portatili, specialmente quando devono elaborare e memorizzare grandi quantità di dati multimediali come nel caso di video, videogiochi e trasmissioni Tv. Questa card offre una capacità doppia rispetto a quella della generazione precedente che continua ad essere prodotta, ma con strutture da 40 nm. Ogni moviNand da 32 GByte incorpora otto chip Nand da 32 Gbit, un Mmc (Multimedia Card Controller) e il corrispondente firmware. Sono inoltre disponibili le card con le capacità: 16, 8, e 4 GByte. Le schede moviNand sono conformi allo standard Mmc embedded e utilizzano un’interfaccia high-speed sviluppata in comune da Jedec e Mmca (MultiMedia Card Association). La specifica più recente (eMMC v4.3) consente di ridurre il tempo di boot-up e contribuisce al risparmio energetico tramite una funzione di sleep. Stando a iSuppli il mercato delle Nand flash da almeno 16 Gbit usate per le memory card è destinato a passare dai 120 milioni di unità nel 2009 ai 950 milioni nel 2013, che equivarranno così al 72% delle schede vendute. iSuppli stima che il mercato mondiale delle memorie Dram e Nand abbia raggiunto il minimo nel primo trimestre di quest’anno e prevede che i fatturati di Q4/09 supereranno quelli di dodici mesi prima.
Slc e Mlc
Slc (Single-Level Cell) ovvero cella monolivello e Mlc (Multi-Level Cell) ovvero cella multilivello) sono acronimi indicanti tecnologie per la realizzazione di memorie Nand flash non volatili. Le loro caratteristiche sono tali da renderle adatte a due tipi di applicazioni assai diversi tra loro: quelle con buone prestazioni e a basso costo (per cui si adattano le Mlc) e, nel caso della tecnologia Slc, quelle con ottime prestazioni ma costo maggiore. Samsung ha introdotto sul mercato questa nuova tecnologia nel 2007, quando presentò i primi componenti della famiglia Flex-OneNand. Gli elementi Mlc di Flex-OneNand offrono una velocità di scrittura comparabile a quella dei dispositivi Mlc Nand tradizionali, mentre quelli Slc sono caratterizzati da una velocità di scrittura tre volte maggiore.
