Infineon presenta il Mosfet CoolSiC discreto da 750V G1 per soddisfare la crescente domanda di maggiore efficienza e densità di potenza nelle applicazioni di alimentazione per il settore industriale e automobilistico. La famiglia di prodotti comprende Mosfet SiC sia di tipo industriale che automobilistico, ottimizzati per le topologie PFC a totem, T-type, LLC/CLLC, dual active bridge (DAB), HERIC, buck/boost e phase-shifted full bridge (PSFB).
I Mosfet sono ideali per l'impiego in applicazioni industriali tipiche, come la ricarica dei veicoli elettrici, gli azionamenti industriali, i sistemi solari e di accumulo dell'energia, gli interruttori a stato solido, i sistemi UPS, i server/datacenter, le telecomunicazioni, e nel settore automobilistico, come i caricabatterie di bordo (OBC), i convertitori CC-CC e molti altri.
La tecnologia CoolSiC Mosfet 750 V G1 è caratterizzata da eccellenti Figure-of-Merits (FOM) RDS (on) x Q fr e RDS (on) x Q oss, che si traducono rispettivamente in un'altissima efficienza nelle topologie hard-switching e soft-switching. La combinazione unica di alta tensione di soglia (V GS(th), tipica di 4,3 V) e basso rapporto Q GD/Q GS garantisce un'elevata robustezza contro le accensioni parassite e consente il pilotaggio unipolare del gate, con conseguente aumento della densità di potenza e basso costo dei sistemi. Tutti i dispositivi utilizzano la tecnologia proprietaria di Infineon per il die-attach, che offre un'eccezionale impedenza termica per dimensioni equivalenti del die. Il design altamente affidabile dell'ossido di gate, combinato con gli standard di qualificazione di Infineon, garantisce prestazioni robuste e a lungo termine.
Con un portafoglio granulare che va da 8 a 140 mΩ RDS (on) a 25°C, questa nuova famiglia di prodotti CoolSiC Mosfet 750 V G1 soddisfa un'ampia gamma di esigenze. Il suo design garantisce perdite di conduzione e di commutazione inferiori, aumentando l'efficienza complessiva del sistema. I suoi innovativi package riducono al minimo la resistenza termica, facilitano una migliore dissipazione del calore e ottimizzano l'induttanza dell'anello di alimentazione nel circuito, garantendo così un'elevata densità di potenza e una riduzione dei costi di sistema. È importante notare che questa famiglia di prodotti è dotata del pacchetto QDPAK avanzato con raffreddamento dall'alto.