Toshiba ha lanciato due Mosfet di potenza a canale N da 40V per automotive basati sull’ultimo processo U-MOS IX-H. I nuovi dispositivi utilizzano un package S-TOGL (Small Transistor Outline Gull-wing Leads) innovativo che offre una serie di vantaggi nelle applicazioni automotive.
Le applicazioni critiche per la sicurezza automotive, come i sistemi di sterzo, frenata e guida autonoma richiedono in genere, rispetto ad altri sistemi, un numero superiore di dispositivi per soddisfare i requisiti di ridondanza. In questo caso, a causa dei vincoli dimensionali all'interno degli apparecchi automotive, è necessario un Mosfet di potenza ad alta densità di corrente.
I nuovi XPJR6604PB e XPJ1R004PB presentano una tensione nominale VDSS di 40V e l'XPJR6604PB offre una corrente di drain in continua (ID) di 200A (XPJ1R004PB = 160A). Entrambi i dispositivi sono caratterizzati da una corrente impulsata (IDP) pari a 3 volte questo valore, di 600A e 480A rispettivamente. La corrente nominale di 200A è superiore rispetto a quella raggiunta dal package DPAK+ da 6,5 mm × 9,5 mm di Toshiba.
I nuovi MOSFET automotive XPJR6604PB e XPJ1R004PB utilizzano il package S-TOGL di Toshiba, che misura appena 7,0mm × 8,44mm × 2,3mm. I prodotti sono privi di supporti e presentano una struttura multi-pin per i pin sorgente che diminuisce significativamente la resistenza del package.
La combinazione del package S-TOGL con il processo U-MOS IX-H di Toshiba offre al Mosfet XPJR6604PB un valore di resistenza di on (RDS(ON)) di soli 0,66 mΩ (XPJ1R004PB = 1,0 mΩ), che rappresenta una riduzione di circa l'11% rispetto al MOSFET TKR74F04PB esistente di Toshiba alloggiato in package TO-220SM(W). Rispetto a quest’ultimo dispositivo, l'area di montaggio è ridotta di circa il 55%, pur mantenendo i valori caratteristici di resistenza termica dal canale verso il case (Zth(ch-c)) dei Mosfet XPJR6604PB = 0,4oC/W e XPJ1R004PB = 0,67oC/W.
Molte applicazioni automotive si trovano in ambienti estremamente gravosi, quindi l'affidabilità dei giunti di saldatura per il montaggio superficiale costituisce un aspetto critico. Il package S-TOGL di Toshiba utilizza connettori ad ali di gabbiano che riducono le sollecitazioni di montaggio, migliorando l'affidabilità del giunto di saldatura.
I Mosfet sono adatti per ambienti con temperature estreme, sono qualificati AEC-Q101 e sono in grado di funzionare con temperature di canale (Tch) fino a 175oC.
