L'obiettivo di Macom è di diffondere l'adozione del GaN come tecnologia dei semiconduttori RF su larga scala in tutta l'industria.
Come primo passo, Macom ha reso noti una licenza e un accordo di fornitura di wafer epitassiali (epi) che consentiranno alla IQE (principale fornitore internazionale di epi per semiconduttori composti) di produrre elevati volumi di epi GaN-on-Silicon con diametro di 4, 6 e 8 pollici per applicazioni RF. In questo modo, si prevede che Macom potrà fornire prodotti RF GaN con larghezze di banda e livelli di efficienza innovativi in strutture da 8" ai costi del silicio.
Inoltre, Macom ha comunicato che si sta discutendo attivamente se rendere disponibile la tecnologia GaN-on-Silicon a società selezionate per l'impiego in applicazioni RF. Macom ritiene che la disponibilità di estese fonti di produzione di wafer sarà un fattore determinante per diffondere l'adozione commerciale della tecnologia GaN. Il contratto di fornitura ha un'importanza fondamentale nei mercati degli amplificatori di potenza, quali ad esempio le stazioni base cellulari. In base all'analisi della strategia, i ricavi derivanti dai transistor amplificatori di potenza delle stazioni base aumenteranno di oltre 1 miliardo di dollari nel 2014.
