Toshiba Electronics Europe ha ampliato la propria famiglia di Mosfet di potenza per automotive con il TK1R5R04PB - il primo dispositivo alloggiato nel proprio nuovo package D2Pak+ a bassa resistenza. Pur presentando lo stesso ingombro rispetto al package D2Pak (o TO-263) convenzionale, D2Pak+ offre una resistenza ridotta. Ciò è possibile grazie alla presenza di un pin di alimentazione che è molto più ampio e più vicino alla superficie della scheda rispetto a quello di un package D2Pak convenzionale.
Il dispositivo TK1R5R04PB opera con una tensione nominale di 40 V e una corrente nominale di 160A ed è caratterizzato da una resistenza di on massima di 1,5 mΩ (VGS = 10V). Il valore minimo e il valore massimo della tensione di soglia sono pari a 2 e 3 V rispettivamente. Per produrre il componente TK1R5R04PB è stato utilizzato l'ultimo processo di produzione di wafer Umos IX-H di Toshiba. Quest'ultimo possiede una capacità eccellente di soppressione delle fluttuazioni di tensione durante la commutazione e può contribuire a ridurre il rumore dovuto alle emissioni elettromagnetiche nelle applicazioni. Le applicazioni di riferimento includono le pompe per autoveicoli, le ventole, i convertitori Dc-Dc e gli interruttori di carico.
