Renesas presenta gli HIP2211 e HIP2210, una nuova coppia di MOSFET driver a mezzo-ponte progettati per operare con tensioni di lavoro fino 100V. Il HIP2211 è il successore del noto ISL2111, migliora le prestazioni e ne mantiene la compatibilità pin to pin, mentre il HIP2210 offre un ingresso PWM a tre livelli in modo da semplificare la gestione dello stadio di potenza di un alimentatore o di un controllo motore. Gli HIP2211 e HIP2210 sono ideali per gli alimentatori a 48V utilizzati in ambito telecom, per gli amplificatori audio in classe D, per gli inverter solari e per gli UPS. Inoltre la loro robustezza li rende estremamente adatti per l’impiego nel controllo dei motori a 48V utilizzati nei piccoli elettrodomestici alimentati con batterie al litio, negli utensili per il giardinaggio, nelle pompe o nelle ventole di raffreddamento.
I driver HIP221x sono progettati per garantire la massima affidabilità in applicazioni gravose grazie alla loro elevata velocità, alla loro alta tensione operativa e alla capacità del pin HS di tollerare tensioni negative continue fino a -10V e transitori con uno slew rate fino a 50V/ns. La completa protezione contro le sotto-tensioni lavora insieme alla protezione programmabile anti cross-conduzione presente nel HIP2210 al fine di poter garantire la protezione dei MOSFET anche in caso di problemi sulla linea di alimentazione o sui segnali di pilotaggio. I driver Renesas HIP221x sono ideali per l’utilizzo in applicazioni ad alta frequenza in quanto offrono una corrente di pilotaggio in uscita di 3A e di 4A in ingresso, un tempo di propagazione tipico di 15ns ed un matching tipico di 2ns. Entrambi gli HIP2210 e HIP2211 sono stati progettati per essere il perfetto complemento ai microcontrollori Renesas impiegati nel controllo dei motori brushless.
“Gli innovativi HIP221x raccolgono l’eredità di una storia che dura ormai da 25 anni nello sviluppo dei driver al vertice del mercato Harris Intelligent Power (HIP)”, sottolinea Philip Chesley, Vice Presidente della divisione Industrial and Communications Business Division di Renesas. “Elevata robustezza al rumore, tempi di propagazione estremamente veloci ed alta efficienza sono solo alcune delle caratteristiche che i nostri clienti apprezzano sull’intera gamma dei nostri MOSET driver HIP.”
Le principali caratteristiche degli HIP2211 e HIP2210 sono:
- Massima tensione operativa di boostrap di 115VDC (120V massimi sul pin HS).
- Tensione di lavoro del ponte fino a 100V
- Ampio intervallo della tensione di alimentazione VDD da 6V a 18V (20V massimi)
- Alta robustezza del pin HS, sopporta tensioni negative fino a -10V e transitori con slew-rate fino a 50V/ns
- Diodo di boostrap da 0.5Ω integrato: permette di eliminare i diodi esterni
- Protezioni contro sotto tensioni su VDD e Boot in modo da prevenire pilotaggi errati dei MOSFET-N
- Tempo morto regolabile da 35ns a 350ns attraverso una singola resistenza connessa al pin RDT (solo su HIP2210) in modo da prevenire condizioni di cross conduzione.
