Fornitore di soluzioni integrate per gestione dell’alimentazione, conversione Ac-Dc, illuminazione a stato solido e Bluetooth low-energy, Dialog sta dimostrando i suoi primi circuiti integrati in nitruro di gallio realizzati con tecnologia di processo GaN-on-Silicon a 650 V di Tsmc. Il DA8801, e i relativi controllori di conversione di potenza digitali Rapid Charge brevettati da Dialog, consentiranno di realizzare adattatori più compatti, più efficienti e con livelli di densità di potenza più elevati rispetto agli attuali progetti basati su Fet tradizionali. Con le sue soluzioni GaN, Dialog intende indirizzare inizialmente il segmento degli adattatori per ricarica rapida destinati a smartphone e prodotti informatici, dove già detiene una quota di mercato superiore al 70% grazie ai suoi noti controller di conversione di potenza.
Conversione di potenza ultra-efficiente
“Le eccezionali prestazioni dei transistor GaN consentono ai clienti di sviluppare progetti di adattatori più efficienti e compatti, in grado di soddisfare le esigenze espresse oggi dal mercato” ha dichiarato Mark Tyndall, SVP Corporate Development and Strategy di Dialog in occasione della presentazione alla stampa. “Dopo il successo ottenuto dai nostri Pmic basati su Bcd, considerati innovativi anticipatori delle soluzioni GaN, Dialog si afferma ancora una volta come leader nella commercializzazione di una nuova tecnologia di potenza in applicazioni consumer ad alto volume”.
La tecnologia GaN mette a disposizione i transistor più veloci del mondo, elementi essenziali per una conversione di potenza ultra-efficiente. L’half-bridge DA8801 di Dialog integra una serie di blocchi costruttivi, quali circuiti di pilotaggio e adattamento di livello e interruttori di potenza a 650 V, capaci di assicurare una soluzione ottimizzata che riduce le perdite di potenza fino al 50% e permette di arrivare a livelli di efficienza del 94%. Il prodotto consente un’implementazione ottimizzata, evitando i complessi circuiti normalmente necessari per pilotare gli switch di potenza GaN discreti. La nuova tecnologia permette di ridurre le dimensioni dell’elettronica di potenza fino al 50%, consentendo di integrare un progetto a 45 W nell’ingombro tipico di un progetto a 25 W o meno. Questa riduzione delle dimensioni consentirà di realizzare dei veri caricabatteria universali per i dispositivi mobili.
