I dispositivi GaN HEMT da 150 V della serie GNE10xxTB (GNE1040TB) di ROHM portano la tensione di tenuta di gate (tensione gate-source nominale) fino a 8 V, un valore che li rende ideali per l'applicazione in circuiti di alimentatori per apparecchiature industriali come centri di elaborazione dati e Base station e dispositivi IoT.
Alla produzione di massa di dispositivi SiC e ai dispositivi in silicio dalle numerose funzionalità, ora ROHM affianca anche lo sviluppo di dispositivi GaN dal funzionamento ad alta frequenza in una gamma di media tensione, consentendo di fornire soluzioni di potenza a una più ampia gamma di applicazioni.
Questi nuovi prodotti utilizzano una struttura originale che aumenta la tensione gate-source nominale dai tradizionali 6 V a 8 V. Di conseguenza si evita il deterioramento, anche nel caso in cui si verifichino overshoot superiori a 6 V in fase di commutazione, contribuendo ad un miglior margine di design e a una più elevata affidabilità nei circuiti di alimentatori. La serie GNE10xxTB è disponibile in un package altamente versatile dotato di elevata capacità di dissipazione del calore e di un'ampia capacità di corrente, facilitando la gestione in fase di montaggio.
ROHM ha immesso sul mercato dispositivi GaN che contribuiscono a una maggiore conservazione dell'energia e miniaturizzazione sotto il marchio EcoGaN e sta lavorando all'ampliamento della gamma con dispositivi in grado di migliorare le prestazioni.
In futuro ROHM continuerà a sviluppare circuiti integrati di controllo che sfruttano tecnologia di alimentazione analogica come Nano Pulse Control e moduli che integrano questi circuiti, insieme a soluzioni di potenza che contribuiscono a una società sostenibile massimizzando le prestazioni dei dispositivi GaN.
