Stabilità a lungo termine e alte prestazioni in ambienti industriali: nell'attuale generazione di moduli DRAM ATP, la DDR4, la velocità di trasferimento dati fino a 3200 MT/s assicura un aumento della velocità di clock massima possibile. La tensione di alimentazione in questo caso è di soli 1,2 V. Le alte prestazioni con un minore consumo energetico permettono quindi l'applicazione nelle aree ad alte prestazioni delle infrastrutture di telecomunicazione, dei sistemi di archiviazione di rete, dei server NAS (Network Attached Storage), dei server micro/cloud e dei sistemi embedded come i PC industriali. Grandi quantità di moduli ATP DDR4 sono disponibili a magazzino su www.rutronik24.com.
I moduli della precedente serie DDR3 combinano una velocità di trasferimento dati fino a 1866 MT/s e tensioni di alimentazione di 1,5 V e 1,35 V per ottenere prestazioni veloci con un maggiore risparmio energetico.
Caratteristiche speciali opzionali
Uno strato di pellicola di rivestimento conforme all'applicazione protegge i circuiti elettronici sensibili e i moduli da polvere, umidità, corrosione, sostanze chimiche e temperature estreme. I resistori anti-zolfo allontanano gli effetti dannosi della contaminazione da zolfo. Un rivestimento d'oro di 30 μ" di spessore e un circuito stampato composto da 6-10 strati di assemblaggi PCB (PCBA) assicurano una migliore qualità del segnale, nonché l'affidabilità meccanica e la durata dei moduli. Per garantire stabilità a lungo termine, disponibilità e prestazioni costanti nelle applicazioni industriali, le caratteristiche opzionali includono la capacità di resistere a temperature estreme da -40°C a 95°C.
Utilizzo in ambienti ad alte prestazioni
Questi moduli DRAM per applicazioni aziendali e industriali sono tipicamente installati in ambienti ad alte prestazioni come i data center e luoghi difficili da raggiungere. Qui, l'elaborazione ininterrotta dei dati è essenziale, in quanto qualsiasi tempo di inattività si traduce in significative perdite economiche.
