Molte le ultime novità presentate da Rohm Semiconductor in cinque categorie di prodotto nell'ambito della potenza: tecnologie silicon carbide, IC di potenza, automotive, industriale e controllo motore.
Gate driver isolati
Da segnalare una nuova famiglia di gate driver isolati per Mosfet di potenza che va ad ampliare l’assortimento esistente, offre nuove soluzioni per aumentare la flessibilità e migliora la progettazione dei sistemi di potenza destinati ai settori industriale e automotive. Il primo prodotto presentato è un gate driver isolato da 3,75KV, con certificazione Aec-Q100, progettato per il pilotaggio di un power SiC Mosfet. È caratterizzato da una corrente di uscita di 4 A, dalla funzione Active Miller Clamping per impedire le accensioni parassite e dalla undervoltage protection specifico per il pilotaggio dei SiC Mosfet di Rohm. L’Uvlo ottimizzato aumenta l’affidabilità del sistema, aspetto di fondamentale importanza nelle applicazioni automotive e industriali. Inoltre l’integrazione di questa funzione minimizza il numero di componenti necessari e, di conseguenza, lo spazio occupato dal circuito e riduce lo sforzo di progettazione.
Moduli di potenza full SiC
Rohm ha annunciato anche lo sviluppo di nuovi moduli di potenza full SiC da 400/ 600 A e 1200 V ideali per inverter e convertitori solari destinati a sistemi di raffreddamento, Ups e alimentatori di potenza per apparecchiature industriali. I nuovi moduli di potenza full SiC integrano gli ultimi Sbd e Mosfet in tecnologia SiC con una nuova struttura a bassa induttanza. La buona planarità della superficie di contatto con il dissipatore consente di ridurre il valore della resistenza termica tra il contenitore del modulo e il dissipatore stesso, con conseguente riduzione delle dimensioni del sistema di raffreddamento. Tali caratteristiche rendono questi dispositivi adatti a sostituire i moduli di potenza Si basati su Igbt da 400, 660 e perfino 1000 A, a seconda della frequenza di commutazione del cliente.
Igbt da 650 Vdi terza generazione
Interessante anche la nuova famiglia di Igbt da 650 V di terza generazione. Grazie a una struttura avanzata e ad eccellenti caratteristiche elettriche, questi dispositivi offrono la soluzione ideale per il soft switching ad alta efficienza nelle applicazioni industriali e negli elettrodomestici. Realizzati a partire da un wafer più sottile, caratterizzati da una struttura Field Stop e da una sofisticata tecnologia Trench Gate proprietaria, questi Igbt da 650 V superano il compromesso tra tensione di saturazione e perdite turn-off. Inoltre i risultati delle misurazioni mostrano caratteristiche di bassa rumorosità a fronte di una velocità di commutazione più elevata. Questa nuova generazione comprende due varianti: la serie RGTV con protezione da cortocircuito avanzata e la serie RGW per convertitori con carica di gate bassa, capacità e perdita di commutazione bassissima. Entrambe le serie sono dotate di un recovery diode molto rapido e progressivo che garantisce la massima efficienza alle applicazioni.
