All'insegna dello slogan “Technology for you - Sense it! Light it! Power it!”, Rohm Semiconductor in occasione di electronica 2012 ha concentrato l'attenzione sul power management, sull'optoelettronica e sulla tecnologia wireless a basso consumo. I dispositivi, che si basano sugli ultimi progressi compiuti con attività di R&S e su quelli in collaborazione con alcuni partner e realizzati negli stabilimenti integrati dell'azienda, hanno ottime caratteristiche nate da approfondite ricerche sui materiali e dalla competenza in materia di package e tecnologie di processo. Nel soddisfare le crescenti esigenze in termini di funzionalità efficienti, consumi bassissimi, miniaturizzazione, riduzione del numero di componenti e durata, questi prodotti consentono di creare progetti più semplici e “verdi” e, allo stesso tempo, di ottenere prestazioni ottimali.
Pile a idrogeno ad alta potenza
Rohm ha sviluppato, in collaborazione con un'azienda di Kyoto, la Aquafairy e l'Università di Kyoto, celle a idrogeno ad alta potenza, compatte e leggere, adatte per l'alimentazione di smartphone e altri dispositivi portatili. Queste fuel cell sono in grado di ovviare agli svantaggi legati alle pile a secco, celle agli ioni di litio e fuel cell a metanolo diretto, riducendo nettamente il peso e aumentando la potenza in uscita, garantendo un maggiore livello di sicurezza e fornendo energia ovunque non sia disponibile l'alimentazione Ac.
Tecnologia SiC
Rohm è sempre impegnata nello sviluppo di Sbd (Schottky Barrier Diode) e Mosfet SiC (Carburo di Silicio) di nuova generazione, supportata dal centro di produzione di SiCrystal, un'azienda del gruppo Rohm. La combinazione tra basse perdite e alte tensioni, insieme a un ridotto tempo di ripristino, rendono questi dispositivi perfetti per molte applicazioni, tra cui circuiti di Power Factor Correction, convertitori e invertitori per veicoli elettrici e unità industriali. I nuovi gate driver SiC isolati ad alta tensione di Rohm favoriscono il raggiungimento di bassi consumi e semplificano i piccoli progetti. Insieme ai dispositivi SiC di Rohm, la nuova generazione garantisce un funzionamento stabile ad alta velocità, anche nelle applicazioni a potenza elevata. Inoltre il modulo di potenza “full SiC” di Rohm, il primo che comprende Mosfet e Sbd SiC, consente un funzionamento ad alta frequenza superiore a 100 kHz (più che decuplicata) e una riduzione dell'85% della perdita di potenza durante la conversione rispetto ai tradizionali moduli Igbt al silicio.
Mosfet di potenza a 40 V
Grazie a una nuova struttura realizzata mediante un'avanzata tecnologia proprietaria di progettazione, i nuovi Mosfet di potenza da 40 V per convertitori Dc/Dc di Rohm sono caratterizzati da una resistenza di On e da una capacità di gate bassissime, raggiungendo perdite estremamente ridotte e una straordinaria efficienza che favoriscono il funzionamento ad alta velocità.
Led driver e Led Rgb
Nella vasta gamma di Led driver Rohm sono inclusi driver dotati di dimmer per ridurre i consumi, unità compatte con regolatore Ldo integrato, driver Rgb che riducono il carico software e modelli con Flash integrata che facilitano la miniaturizzazione. I nuovi Led driver BD18377 prevedono un'uscita costante programmabile, precisione ottimizzata e funzioni di diagnostica. Insieme ai Led Rgb ad alta luminosità più sottili del settore, che offrono il massimo in fatto di uniformità e combinazione di colori, questi dispositivi forniscono una soluzione completa per gli indicatori luminosi dei cruscotti per auto.
