STMicroelectronics e l’istituto di ricerca Leti hanno annunciato la loro collaborazione per industrializzare le tecnologie GaN-on-Silicon (GaN = Nitruro di Gallio) per dispositivi di commutazione di potenza. La tecnologia GaN-on-Si di potenza consentirà a ST di affrontare applicazioni ad alta efficienza e alta potenza, inclusi i caricabatterie integrati per veicoli ibridi ed elettrici, ricarica wireless e server.
La collaborazione si concentra sullo sviluppo e sulla qualificazione di architetture a diodi e transistor basate su tecnologie GaN-on-Silicon avanzate su wafer da 200 mm, un mercato che la società di ricerca IHS Markit stima che crescerà di oltre il 20 percento dal 2019 al 2024. Insieme, nell'ambito di IRT Nanoelec, ST e Leti stanno sviluppando la tecnologia di processo su una linea R&D da 200 mm di Leti e si aspettano di disporre di campioni di convalidati entro il 2019. In parallelo, ST creerà una linea di produzione completamente qualificata, compresa la tecnologia GaN/Si etero-epitassiale, per una produzione iniziale in corso nella fabbrica di wafer di ST di Tours, in Francia, entro il 2020.
Inoltre, data l'attrattiva della tecnologia GaN-on-Si per le applicazioni di potenza, Leti e ST stanno valutando tecniche avanzate per migliorare il packaging dei dispositivi per l'assemblaggio di moduli di potenza ad alta densità di potenza.
"Riconoscendo l'incredibile valore dei semiconduttori a banda larga, i contributi di ST nelle tecnologie di produzione e packaging GaN-on-Si di potenza insieme a Leti ci consentono di disporre del portafoglio più completo del settore per prodotti e soluzioni in GaN e SiC, oltre a sottolineare la nostra comprovata competenza nella produzione di prodotti di alta qualità e affidabili in termini di volume", ha dichiarato Marco Monti, Presidente Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics.
"Sfruttando la piattaforma generica da 200 mm di Leti, il team di Leti è impegnato ad appoggiare la roadmap strategica di ST GaN-on-Si per quello che riguarda le applicazioni dell’elettronica di potenza ed è pronto a trasferire la sua tecnologia sulla linea di produzione dedicata alla produzione di GaN-on-Si nello spabilimento di ST a Tours. Questo co-sviluppo, che coinvolge team di entrambe le parti, sfrutta il programma quadro IRT Nanoelec per ampliare le competenze richieste e apportare innovazione sin dalle sue fasi iniziali a livello di dispositivi e di sistema", ha dichiarato Emmanuel Sabonnadiere, CEO di Leti.
