International Rectifier ha presentato una nuova serie di transistor Mosfet di potenza HEXFET a 30 V in contenitore TO-220 qualificati per le applicazioni industriali, che garantiscono una carica di gate estremamente bassa e si rivelano particolarmente adatti per realizzare inverter Ups, utensili elettrici a bassa tensione, messa in parallelo di carichi con controllo attivo, alimentatori per server e per apparecchiature di telecomunicazione. La caratteristiche di robustezza tipiche della più recente tecnologia di fabbricazione Trench utilizzata da IR per realizzare questi Mosfet garantiscono una resistenza di conduzione (RDS(on)) molto bassa che consente di ridurre la dissipazione termica. Inoltre, la carica di gate estremamente bassa di questa nuova famiglia di dispositivi aiuta ad estendere la durata delle batterie utilizzate negli inverter Ups e negli utensili elettrici.
