Texas Instruments ha dato il via ai lavori per la costruzione del suo nuovo impianto per la fabbricazione di wafer a semiconduttore da 300 mm a Lehi, nello Utah.
Insieme al governatore dello Utah, a rappresentanti delle istituzioni locali e della società civile, Haviv Ilan, presidente e ceo di TI, ha inaugurato la costruzione della nuova fabbrica, la LFAB2, che andrà a unirsi all'altra fabbrica per wafer da 300 mm dell'azienda già presente a Lehi. Una volta completate, le due fabbriche produrranno decine di milioni di chip di elaborazione analogici e integrati al giorno al massimo della loro capacità produttiva.
"Questa nuova fabbrica fa parte della nostra roadmap a lungo termine per la produzione di semiconduttori da 300 mm con lo scopo di creare la capacità richiesta dai nostri clienti per i decenni a venire", ha detto Ilan. "In TI, la nostra passione è creare un mondo migliore rendendo le nostre tecnologie elettroniche più accessibili economicamente grazie ai semiconduttori. Siamo fieri di essere in crescita all'interno della comunità dello Utah e di produrre semiconduttori di elaborazione analogici e integrati che sono fondamentali per quasi ogni tipo di sistema elettronico moderno".
La LFAB2 andrà a creare circa 800 ulteriori posti di lavoro per TI e migliaia di posti nell'indotto; i primi prodotti saranno disponibili già nel 2026.
Come parte dell'impegno di TI nel campo dell'istruzione, l'azienda investirà 9 milioni di dollari nell'Alpine School District per sviluppare la prima comunità dello Stato per lo studio delle materie Stem (Science, Technology, Engineering and Math) per tutti gli studenti a partire dalla scuola dell'infanzia fino al diploma di scuola superiore.
Fabbricazione wafer sostenibile
TI vanta un impegno a lungo termine per una produzione responsabile e sostenibile. La LFAB2 sarà tra le fabbriche per wafer dell'azienda più efficienti dal punto di vista ambientale ed è progettata per essere conforme al LEED Gold versione 4, uno dei più elevati livelli di efficienza strutturale e sostenibilità del sistema di valutazione degli edifici LEED (Leadership in Energy and Environmental Design).
L'obiettivo per la LFAB2 è essere alimentata al 100% con elettricità da fonti rinnovabili; inoltre, le avanzate apparecchiature e i processi a 300 mm impiegati a Lehi contribuiranno a ridurre ulteriormente la produzione di rifiuti e il consumo di acqua ed energia. In effetti, è previsto che la LFAB2 riesca a riciclare almeno il doppio dell'acqua rispetto all'altra fabbrica di TI già presente a Lehi.
La LFAB2 andrà a unirsi alle fabbriche per wafer da 300 mm di TI già esistenti, che comprendono la LFAB1 (Lehi, Utah), la DMOS6 (Dallas) e le RFAB1 ed RFAB2 (entrambe a Richardson, Texas). Inoltre, TI sta costruendo quattro nuove fabbriche per wafer da 300 mm a Sherman, in Texas (SM1, SM2, SM3 ed SM4): la prima di queste avvierà la produzione già nel 2025.
Gli ampliamenti della capacità produttiva di TI, con il previsto sostegno da parte del Chips and Science Act, consentiranno una fornitura affidabile di prodotti di elaborazione analogici e integrati. Questi investimenti in produzione e tecnologia dimostrano l'impegno dell'azienda nella pianificazione a lungo termine.
